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      EVG單面/雙面掩模對準光刻機

      簡要描述:EVG單面/雙面掩模對準光刻機EVG610(單面/雙面掩模對準光刻機 微流控 納米壓?。┲С指鞣N標準光刻工藝,如真空,硬,軟接觸和接近式曝光模式,可選擇背部對準方式。此外,該系統還提供其他功能,包括鍵合對準和納米壓印光刻(NIL)。EVG610提供快速處理和重新加工,以滿足不斷變化的用戶需求,轉換時間不到幾分鐘。其先進的多用戶概念適合初學者到專家級各個階層用戶,非常適合大學和研發應用。

      • 產品型號:EVG610
      • 廠商性質:代理商
      • 更新時間:2020-10-28
      • 訪  問  量: 1714

      詳細介紹

        EVG單面/雙面掩模對準曝光機介紹:
       
        EVG®610(單面/雙面掩模對準曝光機 微流控 納米壓印??)是一款緊湊型多功能研發系統,可處理零碎片和大200 mm的晶圓。
       
        EVG610(單面/雙面掩模對準曝光機 微流控 納米壓印)支持各種標準光刻工藝,如真空,硬,軟接觸和接近式曝光模式,可選擇背部對準方式。此外,該系統還提供其他功能,包括鍵合對準和納米壓印光刻(NIL)。EVG610提供快速處理和重新加工,以滿足不斷變化的用戶需求,轉換時間不到幾分鐘。其先進的多用戶概念適合初學者到專家級各個階層用戶,非常適合大學和研發應用。
       
        應用:
       
        MEMS,RF器件,功率器件,化合物半導體等方面的圖形光刻應用。
       
        EVG單面/雙面掩模對準曝光機特征
       
        1、晶圓/基片尺寸從零碎片到200毫米/ 8英寸
       
        2、頂部和底部對準功能
       
        3、高精度對準
       
        4、自動楔形補償序列
       
        5、電動的和程序控制的曝光間隙
       
        6、支持先進的UV-LED技術
       
        7、小化系統占地面積和設施要求
       
        8、分步流程指引
       
        9、遠程技術支持
       
        10、多用戶概念(無限數量的用戶帳戶和程序,可分配的訪問權限,不同語言)
       
        11、敏捷的處理和轉換重新加工
       
        12、臺式或獨立式帶防振花崗巖臺面
       
        附加功能:
       
        1.鍵合對準
       
        2.紅外對準
       
        3.納米壓印光刻(NIL)
       
        【技術參數】
       
        1.掩模版-基板-晶圓尺寸
       
        掩模版尺寸:5寸/7寸/9寸
       
        基片/晶圓尺寸:100mm/150mm/200mm
       
        晶圓厚度:高達10mm
       
        2.對準模式
       
        頂部對準精度:≤ ± 0,5 µm
       
        底部對準精度:≤ ± 2,0 µm
       
        紅外對準模式:≤ ± 2,0 µm/取決于基片的材料
       
        3.頂部顯微鏡
       
        移動范圍1:100mm(X軸:32-100mm;Y軸:-50/+30mm;)
       
        移動范圍2:150mm(X軸:32-150mm;Y軸:-75/+30mm;)
       
        移動范圍1:200mm(X軸:32-200mm;Y軸:-100/+30mm;)
       
        可選:平坦的物鏡可以增加光程;帶有環形燈的暗場物鏡,可以增加對比度
       
        4.底部顯微鏡
       
        移動范圍1:100mm(X軸:30-100mm;Y軸:±12mm;)
       
        移動范圍2:150mm(X軸:30-100mm;Y軸:±12mm;)
       
        移動范圍1:200mm(X軸:30-100mm;Y軸:±12mm;)
       
        可選:平坦的物鏡可以增加光程;帶有環形燈的暗場物鏡,可以增加對比度
       
        5.曝光器件
       
        (1)波長范圍:
       
        NUV:350 - 450 nm
       
        DUV:低至200 nm (可選)
       
        (2)光源:
       
        汞燈350W , 500W UV LED燈
       
        (3)均勻性:
       
        150mm:≤ 3%
       
        200mm:≤ 4%
       
        (4)濾光片:
       
        汞燈:機械式
       
        UV LED:軟件可調
       
        6.曝光模式
       
        接觸:硬、軟接觸,真空
       
        曝光間隙:1 - 1000 µm
       
        線寬精度:1µm
       
        模式:CP(Hg/LED)、CD(Hg/LED)、 CT(Hg/LED) 、CI(LED)
       
        可選:內部,浸入,扇形
       
        7.可選功能
       
        鍵合對準精度:≤ ± 2,0 µm
       
        納米壓抑光刻(NIL)精度:≤ ± 2,0 µm
       
        納米壓抑光刻(NIL)軟印章分辨率:≤ 50 nm圖形分辨率
       
        8.設施
       
        真空:< 150 mbar
       
        壓縮氣體:6 bar
       
        氮氣:可選2或者6 bar
       
        排氣要求:汞燈需要;LED不需要
       
        9.系統方式
       
        系統:windows
       
        文件分享和軟件備份
       
        無限程序儲存,參數儲存在程序內
       
        支持多語言,含中文
       
        實時遠程支持,診斷和排除故障
       
        10.楔形補償
       
        全自動- 軟件控制
       
        11.規格(單面/雙面光刻機 微流控加工 掩模對準)
       
        占地面積:0.55m²
       
        高度:1.01m
       
        重量:約250kg
       
        納米壓印分辨率:≤ 40 nm(取決于模板和工藝)
       
        支持工藝:Soft UV-NIL
       

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