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        EVG610-單面、雙面光刻系統

        簡要描述:EVG610-單面、雙面光刻系統 EVG光刻機EVG®610是一款緊湊型多功能研發系統,可處理零碎片和大200 mm的晶圓。

        • 產品型號:
        • 廠商性質:代理商
        • 更新時間:2022-01-20
        • 訪  問  量: 216

        詳細介紹

          EVG610-單面、雙面光刻系統是一款緊湊型多功能研發系統,可處理零碎片和大200 mm的晶圓。
          一、簡介
          EVG光刻機EVG610支持各種標準光刻工藝,如真空,硬,軟接觸和接近式曝光模式,可選擇背部對準方式。此外,該系統還提供其他功能,包括鍵合對準和納米壓印光刻(NIL)。EVG610提供快速處理和重新加工,以滿足不斷變化的用戶需求,轉換時間不到幾分鐘。其先進的多用戶概念適合初學者到專家級各個階層用戶,非常適合大學和研發應用。
          EVG610-單面、雙面光刻系統
          二、EVG光刻機應用
          MEMS,RF器件,功率器件,化合物半導體等方面的圖形光刻應用。
          三、EVG光刻機特征
          晶圓/基片尺寸從零碎片到200毫米/ 8英寸
          頂部和底部對準功能
          高精度對準
          自動楔形補償序列
          電動的和程序控制的曝光間隙
          支持新的UV-LED技術
          小化系統占地面積和設施要求
          分步流程指引
          遠程技術支持
          多用戶概念(無限數量的用戶帳戶和程序,可分配的訪問權限,不同語言)
          敏捷的處理和轉換重新加工
          臺式或獨立式帶防振花崗巖臺面
         
          附加功能:
          鍵合對準
          紅外對準
          納米壓印光刻(NIL)
         
          四、技術參數
          1.掩模版-基板-晶圓尺寸
          掩模版尺寸:5寸/7寸/9寸
          基片/晶圓尺寸:100mm/150mm/200mm
          晶圓厚度:高達10mm
         
          2.對準模式
          頂部對準精度:≤ ± 0,5 µm
          底部對準精度:≤ ± 2,0 µm
          紅外對準模式:≤ ± 2,0 µm/取決于基片的材料
         
          3.頂部顯微鏡
          移動范圍1:100mm(X軸:32-100mm;Y軸:-50/+30mm;)
          移動范圍2:150mm(X軸:32-150mm;Y軸:-75/+30mm;)
          移動范圍1:200mm(X軸:32-200mm;Y軸:-100/+30mm;)
          可選:平坦的物鏡可以增加光程;帶有環形燈的暗場物鏡,可以增加對比度
         
          4.底部顯微鏡
          移動范圍1:100mm(X軸:30-100mm;Y軸:±12mm;)
          移動范圍2:150mm(X軸:30-100mm;Y軸:±12mm;)
          移動范圍1:200mm(X軸:30-100mm;Y軸:±12mm;)
          可選:平坦的物鏡可以增加光程;帶有環形燈的暗場物鏡,可以增加對比度
         
          5.曝光器件
          (1)波長范圍:
          NUV:350 - 450 nm
          DUV:低至200 nm (可選)
         
          (2)光源:
          汞燈350W , 500W UV LED燈
         
          (3)均勻性:
          150mm:≤ 3%
          200mm:≤ 4%
          (4)濾光片:
          汞燈:機械式
          UV LED:軟件可調
         
          6.曝光模式
          接觸:硬、軟接觸,真空
          曝光間隙:1 - 1000 µm
          線寬精度:1µm
          模式:CP(Hg/LED)、CD(Hg/LED)、 CT(Hg/LED) 、CI(LED)
          可選:內部,浸入,扇形
         
          7.可選功能
          鍵合對準精度:≤ ± 2,0 µm
          納米壓抑光刻(NIL)精度:≤ ± 2,0 µm
          納米壓抑光刻(NIL)軟印章分辨率:≤ 50 nm圖形分辨率
         
          8.設施
          真空:< 150 mbar
          壓縮氣體:6 bar
          氮氣:可選2或者6 bar
          排氣要求:汞燈需要;LED不需要
         
          9.系統方式
          系統:windows
          文件分享和軟件備份
          無限程序儲存,參數儲存在程序內
          支持多語言,含中文
          實時遠程支持,診斷和排除故障
         
          10.楔形補償
          全自動- 軟件控制
         
          11.規格
          占地面積:0.55m²
          高度:1.01m
          重量:約250kg
          納米壓印分辨率:≤ 40 nm(取決于模板和工藝)
          支持工藝:Soft UV-NIL
         

         

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